温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSCT040W120G34AG
HSCT040W120G34AG
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备卓越的电气特性，最大连续漏极电流为63A，支持高达1200V的漏源电压。其导通电阻仅为32mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压范围是15V，确保了良好的驱动性能。该产品适用于需要在高压环境下高效运作的应用场景，如高性能电源转换器、逆变装置等，能够满足对稳定性和可靠性有较高要求的电子系统需求。
- 商品型号
- HSCT040W120G34AG
- 商品编号
- C42389147
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |
相似推荐
其他推荐
- HNVH4L080N120SC1
- HNTH4L160N120SC1
- HNTH4L045N065SC1
- HIMW65R048M1H
- HNTH4L060N065SC1
- HAIMZH120R030M1T
- HIMZA65R072M1HXKSA1
- HIMZ120R030M1HXKSA1
- HIMZ120R090M1HXKSA1
- HMSC080SMA120B
- HS2M0016120D
- HIMW120R014M1HXKSA1
- HNVH4L045N065SC1
- HIMZ120R140M1HXKSA1
- HSCTWA35N65G2V
- HIMW120R045M1XKSA1
- HAIMW120R080M1XKSA1
- HUJ3C120070K3S
- HIMZA65R030M1HXKSA1
- HE3M0045065K
- HNVH4L015N065SC1