HSCTW70N120G2V

ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具备出色的电气特性。其最大导通电流（ID）可达115A，在保证可靠性的前提下支持高电流应用；而最大漏源电压（VDSS）为1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。此外，该器件的导通电阻（RDSON）仅为16毫欧，有助于减少功率损耗，提升效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了有效的开关控制。这些参数共同作用，使该MOSFET适用于多种要求苛刻的电路设计中，能够在高频开关应用中提供卓越性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HSCTW70N120G2V

商品编号

C42389146

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)