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HSCT018W65G34AG
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）支持高达120安培的连续漏极电流（ID），并具备650伏特的漏源电压承受能力（VDSS）。其导通电阻仅为15毫欧姆（RDON），有助于实现低功耗和高效率。该器件的最大栅源电压（VGS）为15伏特，适用于需要快速开关速度与良好热性能的应用场合，比如高性能电源转换系统、逆变装置等，确保了在各种严苛条件下的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HSCT018W65G34AG
- 商品编号
- C42389145
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
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