HSCT1000N170

ID:5A VDSS:1700V RDON:1000mR N沟道

描述

该款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，设计有5A（ID/A）的最大导通电流能力，并且能够在高达1700V（VDSS/V）的电压环境下正常运作。其导通电阻（RDSON/mR）为1000毫欧，适合应用于需要高压和可靠性能的领域。器件支持20V（VGS/V）的栅源电压，便于集成到多种电路设计方案中，如高电压直流转换器、太阳能逆变系统以及消费电子产品中的高压处理模块等。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HSCT1000N170

商品编号

C42389144

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)