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HSCT040W120G3
ID:55A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备1200V的高耐压能力（VDSS），适用于需要处理较大电压差的应用场合。其最大连续漏极电流为55A（ID），能够满足中等功率需求。该MOSFET的导通电阻为40mΩ（RDON），有助于减少运行过程中的能量损耗，提高效率。栅源电压范围达到±18V（VGS），确保了良好的驱动兼容性。此器件非常适合于要求高效、可靠且紧凑设计的电源转换系统中使用。
- 商品型号
- HSCT040W120G3
- 商品编号
- C42389143
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
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