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HIMW120R220M1H
ID:17A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其连续导通电流（ID/A）为17A，能够承受高达1200V（VDSS/V）的电压。器件的导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了在高电压应用中的高效性能。该管子的栅源电压（VGS/V）操作范围是-4V至+18V，增强了其在不同电路设计中的适应性。适合用于需要高电压隔离与快速开关特性的场合，如高频逆变器、电信设备的电源管理及便携式电子设备充电解决方案等。
- 商品型号
- HIMW120R220M1H
- 商品编号
- C42389142
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 624pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 208mΩ |
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