HNVHL025N065SC1

ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有650V的击穿电压（VDSS），适用于需要中等电压等级下的高效电力控制。其最大连续漏极电流为120A（ID），确保了在高负载条件下的稳定运行。该器件拥有低至15mΩ的导通电阻（RDON），有助于减少能量损耗，提高系统效率。栅源电压范围达到±15V（VGS），支持广泛的驱动电路设计。此MOSFET适合应用于追求高性能与小型化的电源转换场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNVHL025N065SC1

商品编号

C42389141

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

6.88克(g)