HSCT070W120G34

ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID）为32A，能够承受的最大漏源电压（VDSS）为1200V。在导通状态下的典型导通电阻（RDSON）为75毫欧（mΩ），适用于需要高电压及低损耗的应用场景。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了可靠的开关性能。此器件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高性能功率转换的场合，能够在保证效率的同时减少能量损失。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HSCT070W120G34

商品编号

C42389140

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)