HIMW65R057M1H

ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有29A的最大导通电流（ID/A），并在断态下能承受高达650V的电压（VDSS/V）。其导通状态下的电阻（RDSON/mΩ）为60毫欧姆，在确保低能耗的同时，提供了高效的电流管理能力。栅源极间电压（VGS/V）的最大容许值为15V，有助于精确控制器件的开关状态。该MOSFET适用于高频开关应用及需高电压处理能力的电力转换解决方案中，如高性能的逆变技术和电源供应单元，可增强系统的稳定性和响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIMW65R057M1H

商品编号

C42389139

商品封装

TO-247-3L​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)