HNTHL030N120M3S

ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道

描述

该碳化硅场效应管(MOSFET)是一款N沟道器件，具备1200V的高耐压能力（VDSS），适用于需要高效能和稳定性的电力转换场景。其最大连续漏极电流可达115A（ID），低至16mΩ的导通电阻（RDON）有助于减少工作时的能量损耗，提升整体效率。栅源电压范围为-15V至+15V（VGS），确保了良好的控制特性和兼容性。此款MOSFET特别适合于要求紧凑设计、高可靠性的电源管理解决方案中使用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNTHL030N120M3S

商品编号

C42389138

商品封装

TO-247-3L​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)