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HIMZA65R027M1H
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其最大导通电流（ID/A）可达120A，在断态下的最大电压（VDSS/V）为650V。该器件展现出优异的导电性能，导通状态下的电阻（RDSON/mΩ）仅为15毫欧姆，有效降低了导电过程中的能量损耗。栅源电压（VGS/V）的最大值为15V，确保了可靠的开关操作。此MOSFET适用于高性能电力转换系统，如逆变器和电源管理模块中，能够提升系统的整体效率与可靠性。
- 商品型号
- HIMZA65R027M1H
- 商品编号
- C42389137
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
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