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HSCT3160KLHRC11
ID:18A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有18A的电流承载能力（ID），并能够承受高达1200V的阻断电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为160毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时提供稳定的性能。该器件适用于需要高压和低功耗的应用场景，例如在便携式设备充电器或其它需要紧凑高效电源解决方案的设计中作为关键组件。
- 商品型号
- HSCT3160KLHRC11
- 商品编号
- C42389136
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ |
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