温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSCT040W120G34
ID:78A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续漏极电流能力和1200V的漏源电压耐受性，导通电阻仅为40mΩ，确保了较低的功率损耗和高效的能量转换。其栅源电压为18V，适用于需要高可靠性和快速开关速度的应用场景。该产品非常适合于高性能电源供应、太阳能逆变器及各种要求紧凑设计与高效率的电子设备中使用。
- 商品型号
- HSCT040W120G34
- 商品编号
- C42389135
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
相似推荐
其他推荐
- HSCT3160KLHRC11
- HIMZA65R027M1H
- HNTHL030N120M3S
- HIMW65R057M1H
- HSCT070W120G34
- HNVHL025N065SC1
- HIMW120R220M1H
- HSCT040W120G3
- HSCT1000N170
- HSCT018W65G34AG
- HSCTW70N120G2V
- HSCT040W120G34AG
- HNVH4L080N120SC1
- HNTH4L160N120SC1
- HNTH4L045N065SC1
- HIMW65R048M1H
- HNTH4L060N065SC1
- HAIMZH120R030M1T
- HIMZA65R072M1HXKSA1
- HIMZ120R030M1HXKSA1
- HIMZ120R090M1HXKSA1