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HSCTW35N65G2V
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，适用于要求高效能与高频率操作的应用中。该器件工作在栅源电压（VGS）范围从-5V至+20V之间，能够在多种电路设计中作为开关元件或放大器使用，尤其适合需要高压、大电流及低损耗特性的电子产品。
- 商品型号
- HSCTW35N65G2V
- 商品编号
- C42389133
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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