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HSCT3060AR
ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备49安培的电流承载能力（ID），以及650伏特的最大阻断电压（VDSS）。其导通状态下的低电阻特性（RDSON为33毫欧）使其在高频开关应用中表现出色。此器件支持从-5伏到+20伏的栅源电压（VGS），适用于需要快速切换和能量效率的关键电路设计中，如高性能计算硬件或消费电子产品中的电源管理模块。
- 商品型号
- HSCT3060AR
- 商品编号
- C42389134
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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