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HSCT3030AR
ID:97A VDSS:650V RDON:25mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有97A的电流处理能力（ID/A），并且能够承受高达650V的电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为25毫欧，有助于降低热损耗。栅源电压（VGS/V）工作范围从-5V到+20V，使得它在多种电路条件下都能可靠运行。该器件适用于需要高效能和稳定性的应用领域，比如精密的电源管理系统、不间断电源装置以及消费类电子产品中的电力转换部分。
- 商品型号
- HSCT3030AR
- 商品编号
- C42389132
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 359pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |
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