HIMZ120R220M1H

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有19A的连续电流能力（ID/A），能够承受的最大电压（VDSS/V）为1200V。其导通电阻（RDSON/mR）为160毫欧，确保了较低的功耗。该器件的工作栅源电压（VGS/V）为±20V，适用于需要高效率和高频操作的应用，如电源转换系统、太阳能逆变器以及其他要求苛刻的电力管理解决方案中。其优越的性能使其成为高性能电力电子的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HIMZ120R220M1H

商品编号

C42389131

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)