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HSCTWA40N12G24AG实物图
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HSCTWA40N12G24AG

HSCTWA40N12G24AG

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描述
这款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,具备32A的连续漏极电流能力,能够承受高达1200V的漏源电压。其导通电阻仅为75mΩ,有助于减少功率损耗并提高效率。栅源电压范围为15V,确保了良好的驱动性能。该产品以其卓越的热稳定性、低开关损耗及高频率工作特性,在电源转换、逆变器设计以及需要高效能和紧凑尺寸的电子电路中表现出色。
商品型号
HSCTWA40N12G24AG
商品编号
C42389130
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
8.072克(g)

商品参数

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参数完善中

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