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HSCT055W65G34AG
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)的最大漏极电流为29A，能够承受高达650V的漏源电压，适用于需要处理高电压的应用场合。其导通电阻仅为60mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压范围为-15V至+15V，确保了广泛的驱动兼容性。此MOSFET适合用于要求高效能、低能耗及稳定性的电源管理、逆变器以及其他高压电子设备中。
- 商品型号
- HSCT055W65G34AG
- 商品编号
- C42389129
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |
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