HNVHL075N065SC1

ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流为29A，支持最高650V的漏源电压，适用于需要承受高压的工作环境。其导通电阻为60mΩ，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压范围设定在-15V至+15V之间，保证了良好的驱动性能。此MOSFET非常适合应用于要求高效转换、紧凑设计以及稳定运行的电源管理系统或电子控制装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNVHL075N065SC1

商品编号

C42389128

商品封装

TO-247-3L​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)