HNVHL075N065SC1
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)专为高性能需求设计，最大漏极电流为29A，支持最高650V的漏源电压，适用于需要承受高压的工作环境。其导通电阻为60mΩ，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压范围设定在-15V至+15V之间，保证了良好的驱动性能。此MOSFET非常适合应用于要求高效转换、紧凑设计以及稳定运行的电源管理系统或电子控制装置中。
- 商品型号
- HNVHL075N065SC1
- 商品编号
- C42389128
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 快速本征二极管与低反向恢复电荷（Qrr）
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电
- 服务器电源
- 太阳能光伏逆变器
- UPS直流/直流转换器
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