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HNVH4L025N065SC1
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达120A，支持高达650V的漏源电压，确保了在高功率场景下的可靠运行。导通电阻仅为15mΩ，有效降低能量损耗和发热，提高系统效率。栅源电压范围为-15V至+15V，提供良好的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、低热阻且能在高压条件下工作的多种应用场景，如高性能电源转换器或要求严格控制功耗的电子设备中。
- 商品型号
- HNVH4L025N065SC1
- 商品编号
- C42389127
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
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