HNVHL1000N170M1
ID:5A VDSS:1700V RDON:1000mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备5A的连续漏极电流能力和1700V的高漏源电压耐受性，导通电阻为1000毫欧姆。其栅源电压工作范围为20V，适用于需要在高压条件下工作的高效能转换系统。该MOSFET具有良好的热性能和稳定性，适合于对电力效率及可靠性有较高要求的应用场合。
- 商品型号
- HNVHL1000N170M1
- 商品编号
- C42389126
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 易于并联且驱动简单
- 抗闩锁
- 无卤，符合 RoHS 标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 高压 DC/DC 转换器
- 电池充电器
- 电机驱动器
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