HNVHL1000N170M1

ID:5A VDSS:1700V RDON:1000mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备5A的连续漏极电流能力和1700V的高漏源电压耐受性，导通电阻为1000毫欧姆。其栅源电压工作范围为20V，适用于需要在高压条件下工作的高效能转换系统。该MOSFET具有良好的热性能和稳定性，适合于对电力效率及可靠性有较高要求的应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNVHL1000N170M1

商品编号

C42389126

商品封装

TO-247-3L​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)