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HSCT20N120AG
ID:18A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)支持最高18A的连续漏极电流与1200V的漏源电压，具有160毫欧姆的低导通电阻，能够有效降低能耗并提升效率。其栅源电压为20V，适用于需要在高压环境下实现高效能转换的应用场景。凭借优秀的电气特性和稳定性，该MOSFET非常适合对性能有严格要求的电源管理和转换系统使用。
- 商品型号
- HSCT20N120AG
- 商品编号
- C42389125
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ |
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