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HNTHL080N120SC1A
ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备N沟道结构，最大导通电流（ID）可达36A，在断态下能承受最高1200V（VDSS）的电压。其导通电阻（RDSON）低至80毫欧，有助于减少导通状态下的能量损耗。该器件工作在最高20V的栅源电压（VGS）下，适用于需要高电压、大电流及高效能的应用场景中，如电源转换或电力管理等领域。
- 商品型号
- HNTHL080N120SC1A
- 商品编号
- C42389124
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |