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HNVH4L040N120SC1
ID:78A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的漏极电流（ID）承载能力，以及高达1200V的漏源电压（VDSS），展现了优异的高压处理性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，有助于显著降低能耗。栅源电压（VGS）额定值为±18V，提供了可靠的驱动保障。该器件适用于追求高性能与低功耗的应用领域，在高频逆变和其他需要坚固耐用且高效能元件的电路设计中尤为适用。
- 商品型号
- HNVH4L040N120SC1
- 商品编号
- C42389123
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |