共封装HEXFET和肖特基二极管的FETKY™系列产品为设计人员提供了一种创新的节省电路板空间的解决方案，适用于开关稳压器和电源管理应用。第五代HEXFET采用先进的加工技术，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。将这项技术与国际整流器公司（International Rectifier）的低正向压降肖特基整流器相结合，可得到一种极其高效的器件，适用于各种便携式电子应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性。SO - 8封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	6.9A
	导通电阻(RDS(on))	35mΩ@10V,5.9A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	2.8W
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	15nC@10V
	输入电容(Ciss)	530pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃

SI4936BDY-T1-E3

商品参数

商品概述

数据手册PDF