RJK0329DPB-01#J0
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0329DPB-01#J0
- 商品编号
- C3288606
- 商品封装
- SC-100(SOT-669)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.33nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了较低的导通损耗和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 高速开关
- 能够提供4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度贴装
- 低导通电阻
- 典型导通电阻RDS(on) = 1.8 mΩ(VGS = 10 V时)
- 无铅
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