TSM10NC65CF C0G
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 商品型号
- TSM10NC65CF C0G
- 商品编号
- C3288597
- 商品封装
- ITO-220S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 3.1A，-250V，VGS = -10V时，RDS(on) = 2.1Ω
- 低栅极电荷（典型值10nC）
- 低Crss（典型值10.3pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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