TSM10N80CI C0G
1个N沟道 耐压:800V 电流:9.5A
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- 品牌名称Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号
TSM10N80CI C0G商品编号
C3288595商品封装
ITO-220AB包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@4.75A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.336nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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