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TSM10N80CI C0G

1个N沟道耐压:800V 电流:9.5A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM10N80CI C0G
商品编号: C3288595
商品封装: ITO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品概述

IRF840、IRF841、IRF842和IRF843是n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。IRF840R、IRF841R、IRF842R和IRF843R型是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能承受指定水平的雪崩击穿模式下的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

低漏源导通电阻RDS(ON),最大1.05Ω
低栅极电荷,典型值为53nC
改善了dV/dt性能
无铅镀层
符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21定义,无卤

应用领域

电源
照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	9.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.05Ω@10V
	耗散功率(Pd)	48W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	53nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.336nF
	反向传输电容(Crss)	29pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	214pF