TSM8N80CI C0G
N沟道,电流:8A,耐压:800V
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- 商品型号
- TSM8N80CI C0G
- 商品编号
- C3288592
- 商品封装
- ITO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.921nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 146pF |
商品概述
FDU6676AS旨在替代同步DC/DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDU6676AS采用仙童半导体的单片式SyncFET技术，将MOSFET与肖特基二极管进行单片集成，拥有专利技术组合。
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(ON) 1.4Ω(最大值)
- 低栅极电荷典型值为41nC(典型值)
- 提高dV/dt能力
应用领域
- 电源
- 照明
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