TSM8N80CI C0G
N沟道,电流:8A,耐压:800V
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- 品牌名称Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号
TSM8N80CI C0G商品编号
C3288592商品封装
ITO-220AB包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,4A | |
耗散功率(Pd) | 250W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.921nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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