FDW2512NZ
双N沟道,电流:6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2512NZ
- 商品编号
- C3281979
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 是仙童半导体公司先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 6A、20V;rDS(ON) = 0.028 Ω,VGS = 4.5 V
- rDS(ON) = 0.036 Ω,VGS = 2.5 V
- 扩展的VGS范围(± 12 V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-负载开关-电池充电-电池断开电路