FDW2507N
N沟道,电流:7.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2507N
- 商品编号
- C3281978
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.152nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 263pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 512pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了仙童半导体先进的PowerTrench工艺，具备坚固的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 7.5 A、20 V, RDS(ON) = 19 m Ω (当 VGS = 4.5 V 时)
- RDS(ON) = 23 m Ω (当 VGS = 2.5 V 时)
- 源极和漏极引脚相互隔离
- 高性能沟槽技术,在 VGS = 2.5 V 时实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-锂离子电池组