FDS7088N3
30V, 21A, N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7088N3
- 商品编号
- C3279759
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 368pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化,能在小封装内实现极低的RDS(ON)。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 5mΩ
- 21A、30V,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 4mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO-8封装:在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- 同步整流器
- DC/DC转换器