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IRF7316
2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7316
- 商品编号
- C3279780
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
IRF8707PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术集成到行业标准的SO-8封装中。IRF8707PbF针对同步降压操作中的关键参数（包括Rds(on)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。
商品特性
-超低导通电阻-双P沟道MOSFET-表面贴装-全雪崩额定
应用领域
- 用于笔记本处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET-网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET