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DMT15H017LPS-13
1个N沟道 耐压:150V 电流:58A
- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT15H017LPS-13
- 商品编号
- C3279413
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.312克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.369nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 211pF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 同步整流
- 功率开关
- D类音频放大器