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DMTH6016LFVWQ-13
N沟道增强模式MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:41A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求，符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LFVWQ-13
- 商品编号
- C3279411
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.4pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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