RF5L08350CB4
400W, 50V, 0.4到1GHz射频功率LDMOS晶体管
- 描述
- 400 W、50 V、0.4 至 1 GHz RF 功率 LDMOS 晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- RF5L08350CB4
- 商品编号
- C3277340
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
该器件具备静电放电（ESD）保护功能，采用共漏极配置，适用于单向或双向负载开关。
商品特性
- 高效率和线性增益操作
- 集成ESD保护
- 内部匹配,使用方便
- 较大的正、负栅源电压范围,改善C类操作
- 出色的热稳定性,低HCl漂移
- 符合欧洲指令2002/95/EC
应用领域
- 0.4至1 GHz的宽带实验室放大器
- 470 - 860 MHz数字UHF电视
- 915 MHz射频能量应用