RF2L16180CB4
180W, 28V, 1.3到1.6GHz射频功率LDMOS晶体管
- 描述
- 180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- RF2L16180CB4
- 商品编号
- C3277339
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
RF2L16180CB4是一款180 W、28 V的内部匹配LDMOS晶体管,专为多载波WCDMA/PCS/DCS/LTE基站以及频率范围在1300至1600 MHz的ISM应用而设计。通过适当的外部匹配网络,四个引脚可配置为单端、180度推挽、90度混合或Doherty模式。
商品特性
- 高效率和线性增益操作
- 集成ESD保护
- 内部匹配,使用方便
- 针对Doherty应用进行优化
- 宽的正、负栅源电压范围,改善C类操作
- 符合欧洲指令2002/95/EC
应用领域
- 多载波基站
- 工业、科学和医疗领域