RF2L36075CF2
75W, 28V, 3.1至3.6GHz射频功率LDMOS晶体管
- 描述
- 75 W、28 V、3.1 至 3.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- RF2L36075CF2
- 商品编号
- C3277338
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体（D-MOS）推挽晶体管，专为超高频（UHF）频段的通信发射机应用而设计。 该晶体管采用带两个陶瓷帽的4引脚SOT268A平衡法兰封装。安装法兰为晶体管提供公共源极连接。
商品特性
-高效率和线性增益操作-集成ESD保护-内部输入匹配,使用方便-宽的正、负栅源电压范围,改善C类放大器性能-出色的热稳定性,低HCl漂移-符合欧洲指令2002/95/EC
应用领域
-电信-S波段雷达