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NTJS3151PT1G
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.3A
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- 描述
- 小型信号 MOSFET -12V -3.3A 60 mΩ 单 P 沟道 SC-88，带 ESD 保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJS3151PT1G
- 商品编号
- C236241
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术实现低导通电阻RDS(ON)，延长电池使用寿命
- SC-88小外形封装（2x2 mm，等同于SC70-6）
- 内置栅极二极管用于静电放电保护
- NV前缀适用于汽车及其他有特殊产地和制程变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂产品，符合RoHS标准
应用领域
- 高端负载开关
- 手机、计算机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理