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FDD4243
1个P沟道 耐压:40V 电流:24A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和优化的 BVdss 能力，为应用带来卓越性能优势。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD4243
- 商品编号
- C236891
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术制造，可实现低导通电阻rDS(on)和优化的Bvdss能力，为应用提供卓越的性能优势。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -6.7 A时，最大导通电阻rDS(on) = 44 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -5.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 64 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-电源