温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQB55N10TM
N沟道,电流:55A,耐压:100V
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB55N10TM
- 商品编号
- C236913
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 830pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别优化，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 55 A、100 V、RDS(on)= 26 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 27.5 A
- 低栅极电荷(典型值75 nC)
- 低Crss(典型值130 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
- D2-PAK
应用领域
- 开关电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器