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NDS9407
60V, 3A, P沟道 MOSFET
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9407
- 商品编号
- C236919
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 732pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
UTC 1N60 是一款高电压 MOSFET，其设计旨在具备更出色的特性，例如快速的开关时间、低栅极电荷、低通态电阻以及具有较高的抗雪崩特性。这种功率 MOSFET 通常用于电源中的高速开关应用、脉宽调制电机控制、高效直流至直流转换器以及桥式电路中。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) < 11.5 Ω（在栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 0.6 时）
- 超低栅极电荷（典型值为 5.0 纳库勒）
- 低反向转移电容（CRSS = 典型值为 3.0 皮法）
- 快速开关能力
- 指定的雪崩能量
- 改进的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 电源供应器
- 步进电机控制装置
- 高效的直流至直流转换器
- 桥式电路