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NDS9407
60V, 3A, P沟道 MOSFET
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9407
- 商品编号
- C236919
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 732pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
UTC 1N60 是一款高电压 MOSFET，其设计旨在具备更出色的特性，例如快速的开关时间、低栅极电荷、低通态电阻以及具有较高的抗雪崩特性。这种功率 MOSFET 通常用于电源中的高速开关应用、脉宽调制电机控制、高效直流至直流转换器以及桥式电路中。
商品特性
- RDS(ON) = 240 mΩ(VGS = - 4.5 V时)
-
- 3.0 A, - 60 V,RDS(ON) = 150 mΩ(VGS = - 10 V时)
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护