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RFD3055LESM9A
1个N沟道 耐压:60V 电流:11A
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- 描述
- 此类 N 沟道增强模式功率 MOSFET 使用最新的制造工艺生产。此工艺使用接近 LSI 电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA49158。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD3055LESM9A
- 商品编号
- C236921
- 商品封装
- DPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用最新的制造工艺技术制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 11A,60V
- rDS(ON) = 0.107 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性负载(UIS)额定曲线
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器