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NDS356AP
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 1个P沟道 耐压:30V 电流:1.1A
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- 描述
- SuperSOT-3 P-Channel 逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用专有、高单元密度 DMOS 技术生产。这种高密度工艺特别适合最小化导通电阻。这些器件特别适合低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子产品和其他电池供电电路，在非常小的外形表面贴装封装中需要快速的高端开关和低在线功率损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS356AP
- 商品编号
- C236918
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SuperSOTTM-3 P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOST技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他需要快速高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路,且采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.2 Ω
- -1.1 A、-30 V,在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.3 Ω
- 采用专有的SuperSOTTM-3设计的行业标准外形SOT - 23表面贴装封装,具备卓越的热性能和电气性能
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式电子设备-其他电池供电电路