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FDG6301N
2个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
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- 描述
- 此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6301N
- 商品编号
- C236893
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 25 V、0.22 A连续电流、0.65 A峰值电流
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 4 Ω
- 在VGS = 2.7 V时，RDS(ON) ≤ 5 Ω
- 极低的栅极驱动要求，允许在3 V电路中直接工作（VGS(th) < 1.5 V）
- 栅源齐纳二极管，增强ESD耐受性（人体模型>6 kV）
- 紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
- 这些器件无铅且符合RoHS标准