温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN5630
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。此 MOSFET 可在很小的 SOT23 占地面积中提供极低 RDS(ON)。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，Fairchild 的 PowerTrench 技术可提供更快的开关速度。因此提高了总体效率，减小了板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN5630
- 商品编号
- C236899
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 这款MOSFET在小型SOT23封装中具有极低的RDS(ON)。PowerTrench技术比具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET提供更快的开关速度。 其结果是在占用更少电路板空间的情况下实现更高的整体效率。
商品特性
- 在VGS = 6 V时,RDS(ON) = 0.120 Ω
- 1.7 A、60 V。在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.100 Ω
- 针对高频DC/DC转换器应用进行优化
- 低栅极电荷
- 极快的开关速度
- SuperSOT - 3在SOT23封装中实现低RDS(ON)
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器