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FDS9431A
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用专属的高单元密度沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，同时提供卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9431A
- 商品编号
- C236911
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款指定 2.5V 的 P 沟道 MOSFET 采用专有高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- -3.5 A，-20 V。VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 0.130 Ω
- VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 0.180 Ω
- 开关速度快。
- 高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力。
应用领域
- DC/DC 转换器-电源管理-负载开关-电池保护