温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDY300NZ
单N沟道,电流:600mA,耐压:20V
- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可优化 RDS(ON) @ VGS = 2.5V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY300NZ
- 商品编号
- C236912
- 商品封装
- SOT-523F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化VGS = 2.5 V时的RDS(ON)。
商品特性
- 600 mA、20 V，VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 700 mΩ
- VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 850 mΩ
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组