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FDS8978
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8978
- 商品编号
- C236910
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通电阻rDS(on)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- rDS(on) = 18 mΩ，VGS = 10 V，ID = 7.5 A
- rDS(on) = 21 mΩ，VGS = 4.5 V，ID = 6.9 A
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 100%进行Rg测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器